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半導體

應用說明

微波在半導體行業的應用

去SU-8膠:
用于去除SU-8這樣的厚光組層; 還可以用于各向同性材料蝕刻,例如Si、SiO2、SiOxNy、W、Mo等;不受離子腐蝕的純化學腐蝕;集成RPS源(遙控/自由基等離子源);等離子區域水冷;基板超低熱負荷;腐蝕速率高(很大范圍內不低于200μm/h);基板尺寸可達460mm x 460mm;不會腐蝕金屬,例如:Ni、Ni/Fe,Au;Cu等;僅會對Si或硅的混合物例如SiO2、Si3N4等造成微量傷害; 

等離子解封裝:
為微芯片的解封裝提供優化方案;解封裝時間短;在適當的工藝條件下,短時間解封裝;高去除率:每小時不低于0.2mm,包括無機填充物;對金、銅、鋁和鈀等材料無損害;對線路無損害(如:Cu和Pd-Cu等材料);輕微的芯片鈍化(選擇率>500:1);解封裝時間:激光剝蝕后1-3小時;集成高效水冷微波 RPS源;快速,僅用自由基進行各向同性腐蝕; - 樣品區域無離子、無輻射、無電場;適用于晶圓尺寸高達300mm。

硅刻蝕:
用于快速均勻硅蝕刻,利用定向的氟自由基束中短壽命且高活躍度的F-自由基;腐蝕率:200mm晶圓腐蝕率為3μm/min,300mm晶圓腐蝕率為2.5μm/min;腐蝕率受膠帶材質限制,無膠帶情況下可達5μm/min;TTV(總厚度變化):300mm晶圓,硅的厚度從10μm減少至1μm;通過同步旋轉和氟的方位角位移來調節氟自由基束的均勻性;可選脈沖等離子模式和直流等離子模式;采用基于CF4的化學蝕刻用于含銅等金屬的硅刻蝕;具有可調真空區域的真空吸盤可處理100/150/200/300mm尺寸的晶圓;真空吸盤可控制溫度;刻蝕超薄晶圓可以使用鋸架。

常壓等離子:
緊湊式等離子源;大氣壓強下操作;適用于廢棄分解(VOC&FOC);最高6kW微波輸出功率 氣體溫度:中心溫度>3000K -氣體:空氣、VOC氣體(鹵化烷)

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